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IDH10G120C5XKSA1

IDH10G120C5XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

IDH10G120C5 系列 1200 V 10 A 第5代 ThinQ!™SiC 肖特基 二极管-TO-220-2

IDH10G120C5, SP001079722


得捷:
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-1


欧时:
SiC Schottky Diode 1200V 10A TO-220-2


立创商城:
1.2kV 1.8V@10A


贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE


e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, thinQ Series, 单, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-220


艾睿:
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube


安富利:
Diode Schottky Diode 1200V 31.9A 2-Pin TO-220 Tube


TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 165W; PG-TO220-2


Verical:
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube


Win Source:
DIODE SCHOT 1200V 10A TO220-2-1 / Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 10A DC Through Hole PG-TO220-2-1


IDH10G120C5XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 165 W

负载电流 10 A

正向电压 1.5 V

耗散功率 165 W

正向电流 10 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 99 A

正向电流Max 31.9 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 165000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IDH10G120C5XKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IDH10G120C5XKSA1 Infineon 英飞凌 IDH10G120C5 系列 1200 V 10 A 第5代 ThinQ!™SiC 肖特基 二极管-TO-220-2 搜索库存
替代型号IDH10G120C5XKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IDH10G120C5XKSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL

当前型号

IDH10G120C5 系列 1200 V 10 A 第5代 ThinQ!™SiC 肖特基 二极管-TO-220-2

当前型号

型号: IDH10S120AKSA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-220

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IDH10G120C5XKSA1和IDH10S120AKSA1的区别