IRHNA67160
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Infineon
英飞凌
电子元器件分类
IRHNA67160中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 56A
输入电容Ciss 8690pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SMD-2
外形尺寸
封装 SMD-2
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
IRHNA67160引脚图与封装图
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在线购买IRHNA67160
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRHNA67160 | Infineon 英飞凌 | SMD-2 N-CH 100V 56A | 搜索库存 |
替代型号IRHNA67160
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRHNA67160 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | SMD-2 N-CH 100V 56A | 当前型号 |
| 型号： IRHNA67160PBF 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | SMD-2 N-CH 100V 56A | IRHNA67160和IRHNA67160PBF的区别 |
| 型号： A67-1 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 56A ID, 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN | IRHNA67160和A67-1的区别 |
