IPD250N06N3 G
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPD250N06N3 G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 25 mΩ
耗散功率 36 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 200 V
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1200pF @30VVds
额定功率Max 36 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD250N06N3 G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD250N06N3 G | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 60V 28A 3Pin2+Tab TO-252 | 搜索库存 |