锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPD70R600CEAUMA1

IPD70R600CEAUMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 700 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

Description:

CoolMOS™ CE is a technology platform of ´s market leading high voltage power MOSFET designed according to the superjunction principle SJ and conceived to fulfill consumer requirements. With the extended family, Infineon offers 600V, 650V and 700V devices targeting low power chargers for mobile devices and power tools,  LCD,  LED TV and  LED lighting applications.

 

Summary of Features:

.
Thermal behavior
.
≤ 90°C on device, open case
.
≤ 50°C/70°C close case temperature
.
„EMI within EN55022B standard
.
Ease of use and fast design-in

Benefits:

.
Low conduction losses from large margin between R DSon typical to nominal
.
„Low switching losses from optimized output capacitance E oss
.
„Optimized EMI to balance switching speed and EMI behavior
.
„Good controllability given the integrated R g

Target Applications:

.
Low power chargers
.
Adapters
.
PC silverbox
.
LCD TV
.
LED retrofit
.
LED drivers
IPD70R600CEAUMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.54 Ω

极性 N-CH

耗散功率 86 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 700 V

漏源击穿电压 700 V

连续漏极电流Ids 10.5A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 474pF @100VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 86W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPD70R600CEAUMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPD70R600CEAUMA1
型号 制造商 描述 购买
IPD70R600CEAUMA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 700 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存