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IPA80R650CE

IPA80R650CE

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

800V,8A,N沟道功率MOSFET

Summary of Features:

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Low specific on-state resistance R DSon*A
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Very low energy storage in output capacitance E oss @ 400V
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Low gate charge Q g
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Field-proven CoolMOS™ quality
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CoolMOS™ technology has been manufactured by since 1998

Benefits:

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High efficiency and power density
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Outstanding price/performance
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High reliability
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Ease-of-use

Target Applications:

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LED lighting
IPA80R650CE中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 8A

上升时间 15 ns

下降时间 10 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

IPA80R650CE引脚图与封装图
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