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IPA80R1K0CE

IPA80R1K0CE

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

800V,5.7A,N沟道功率MOSFET

Summary of Features:

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Low specific on-state resistance R DSon*A
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Very low energy storage in output capacitance E oss @ 400V
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Low gate charge Q g
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Field-proven CoolMOS™ quality
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CoolMOS™ technology has been manufactured by since 1998

Benefits:

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High efficiency and power density
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Outstanding price/performance
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High reliability
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Ease-of-use

Target Applications:

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LED lighting
IPA80R1K0CE中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 5.7A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPA80R1K0CE引脚图与封装图
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