IRF7401TRPBF-1
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
IRF7401TRPBF-1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 8.7A
上升时间 72 ns
下降时间 92 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF7401TRPBF-1引脚图与封装图 
IRF7401TRPBF-1引脚图
IRF7401TRPBF-1封装图
IRF7401TRPBF-1封装焊盘图
在线购买IRF7401TRPBF-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7401TRPBF-1 | Infineon 英飞凌 | SOIC N-CH 20V 8.7A | 搜索库存 |
替代型号IRF7401TRPBF-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7401TRPBF-1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOIC N-CH 20V 8.7A | 当前型号 | SOIC N-CH 20V 8.7A | 当前型号 |
| 型号： IRF7401 品牌： 英飞凌 封装： SOIC N-CH 20V 8.7A | 类似代替 | SOIC N-CH 20V 8.7A | IRF7401TRPBF-1和IRF7401的区别 |
| 型号： IRF7401PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 20V 8.7A | 功能相似 | INFINEON IRF7401PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 20 V, 22 mohm, 4.5 V, 700 mV | IRF7401TRPBF-1和IRF7401PBF的区别 |