锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPN70R1K5CEATMA1

IPN70R1K5CEATMA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPN70R1K5CEATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 700 V, 1.35 ohm, 10 V, 3 V 新

Summary of Features:

.
Drop-in replacement for DPAK at lower cost
.
Space savings in designs with low power dissipation
.
Comparable thermal behavior to DPAK

Target Applications:

.
Lighting
.
Adapter
.
Consumer

得捷:
MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223


立创商城:
N沟道 700V 5.4A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 700 V, 1.35 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin2+Tab SOT-223 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin2+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# INFINEON  IPN70R1K5CEATMA1  MOSFET, N-CH, 700V, 5.4A, SOT-223-3 New


IPN70R1K5CEATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.35 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 700 V

连续漏极电流Ids 5.4A

上升时间 5.9 ns

输入电容Ciss 225pF @100VVds

下降时间 18.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-223-3

外形尺寸

封装 SOT-223-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPN70R1K5CEATMA1引脚图与封装图
IPN70R1K5CEATMA1引脚图

IPN70R1K5CEATMA1引脚图

在线购买IPN70R1K5CEATMA1
型号 制造商 描述 购买
IPN70R1K5CEATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPN70R1K5CEATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 700 V, 1.35 ohm, 10 V, 3 V 新 搜索库存