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IPN50R3K0CEATMA1

IPN50R3K0CEATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPN50R3K0CEATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 500 V, 2.7 ohm, 13 V, 3 V 新

Description:

**Cost-effective drop-in replacement for DPAK**

is growing the portfolio of CoolMOS™ CE with the SOT-223 package as a cost effective alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. The package can be placed on a typical DPAK footprint and comes with only a small compromise in thermal behavior. The SOT-223 from Infineon targets LED lighting and mobile charger applications.

Summary of Features:

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Drop-in replacement for DPAK at lower cost
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Space savings in designs with low power dissipation
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Comparable thermal behavior to DPAK

Target Applications:

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Lighting
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Adapter
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Consumer
IPN50R3K0CEATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2.7 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 1.7A

上升时间 5.8 ns

输入电容Ciss 84pF @100VVds

下降时间 49 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPN50R3K0CEATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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