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IPAW60R280CEXKSA1

IPAW60R280CEXKSA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPAW60R280CEXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V 新

通孔 N 通道 19.3A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220 全封装,宽爬电距离


立创商城:
N沟道 600V 19.3A


欧时:
Infineon MOSFET IPAW60R280CEXKSA1


得捷:
MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220


贸泽:
MOSFET CONSUMER


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 19.3A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.2A; 32W; TO220FP-W


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 19.3A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# INFINEON  IPAW60R280CEXKSA1  MOSFET, N-CH, 600V, 19.3A, TO-220FP-3 New


IPAW60R280CEXKSA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 32 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 950pF @100VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 32000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPAW60R280CEXKSA1引脚图与封装图
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