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IS42S32160F-75EBL-TR

IS42S32160F-75EBL-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133MHz @CL2 , 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS T&R

SDRAM Memory IC Parallel 133MHz 6ns 90-TFBGA 8x13


立创商城:
IS42S32160F 75EBL TR


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA


贸泽:
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS T&R


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA T/R


安富利:
DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 16Mx32 3.3V 90-Pin TF-BGA T/R


IS42S32160F-75EBL-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间 6 ns

存取时间Max 7.5 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42S32160F-75EBL-TR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS42S32160F-75EBL-TR Integrated Silicon SolutionISSI 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133MHz @CL2 , 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS T&R 搜索库存