IS42S16160B-6TL

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54Pin TSOP II 400 Mil RoHS

SDRAM Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II

得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

贸泽:
DRAM 256M 3.3v 16Mx16 166MHz

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

Win Source:
32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM | IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

IS42S16160B-6TL中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 166MHz max

位数 16

存取时间 5.4 ns

内存容量 256000000 B

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

长度 22.42 mm

宽度 10.29 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS42S16160B-6TL引脚图与封装图

IS42S16160B-6TL引脚图

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IS42S16160B-6TL	Integrated Silicon SolutionISSI	256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54Pin TSOP II 400 Mil RoHS	搜索库存