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IDH02G120C5XKSA1

IDH02G120C5XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IDH02G120C5XKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ!™, 单, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220 新

碳化硅肖特基 1200 V 2A（DC） 通孔 PG-TO220-2-1


得捷:
DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-1


欧时:
SiC Schottky Diode 1200V 2A TO-220-2


立创商城:
1.2kV 1.65V@2A


贸泽:
肖特基二极管与整流器 SIC CHIP/DISCRETE


e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, thinQ!™, 单, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220


艾睿:
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 11.8A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube


安富利:
Diode Schottky Diode 1200V 11.8A 2-Pin TO-220 Tube


TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; 75W; PG-TO220-2


Verical:
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 11.8A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube


Newark:
# INFINEON  IDH02G120C5XKSA1  SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE, 1.2KV


IDH02G120C5XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 75 W

负载电流 2 A

正向电压 1.4 V

耗散功率 75 W

正向电流 11.8 A

正向电流Max 11.8 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 175℃ Max

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 75000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IDH02G120C5XKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IDH02G120C5XKSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IDH02G120C5XKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ!™, 单, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220 新 搜索库存
替代型号IDH02G120C5XKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IDH02G120C5XKSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-220

当前型号

INFINEON  IDH02G120C5XKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ!™, 单, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220 新

当前型号

型号： IDH02SG120

品牌： 英飞凌

封装： TO-220-2

类似代替

INFINEON  IDH02SG120  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 2G 1200V系列, 单, 1.2 kV, 2 A, 7.2 nC, TO-220

IDH02G120C5XKSA1和IDH02SG120的区别

型号： IDH02SG120XKSA1

品牌： 英飞凌

封装： TO-220

类似代替

INFINEON  IDH02SG120XKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 2G 1200V系列, 单, 1.2 kV, 2 A, 7.2 nC, TO-220

IDH02G120C5XKSA1和IDH02SG120XKSA1的区别