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IRS44262SPBF

IRS44262SPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 主动器件

INFINEON  IRS44262SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET 驱动器, 低压侧, NSOIC-8

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低边 IGBT MOSFET 灌:2.3A 拉:3.3A


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IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


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# INFINEON  IRS44262SPBF  MOSFET Driver Low Side, 11.2V-20V supply, 3.3A peak out, NSOIC-8


IRS44262SPBF中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 11.2V min

上升/下降时间 25 ns

输出接口数 2

针脚数 8

耗散功率 625 mW

下降时间Max 55 ns

上升时间Max 55 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 11.2V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 11.2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRS44262SPBF引脚图与封装图
IRS44262SPBF电路图

IRS44262SPBF电路图

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