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IRFHM792TR2PBF

IRFHM792TR2PBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IRFHM792TR2PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.4 A, 100 V, 0.164 ohm, 10 V, 3 V

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 100V 2.3A 2.3W 表面贴装型 8-PQFN(3.3x3.3),Power33


得捷:
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN


贸泽:
MOSFET MOSFT 100V dual 2.9A 195mOhm


e络盟:
INFINEON  IRFHM792TR2PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.4 A, 100 V, 0.164 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.3A; 2.3W; PQFN3.3X3.3


IRFHM792TR2PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2.3 W

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.164 Ω

极性 N-CH

耗散功率 10.4 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 2.3A

上升时间 4.7 ns

输入电容Ciss 251pF @25VVds

额定功率Max 2.3 W

下降时间 2.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerVDFN-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 0.9 mm

封装 PowerVDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IRFHM792TR2PBF引脚图与封装图
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IRFHM792TR2PBF Infineon 英飞凌 INFINEON  IRFHM792TR2PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.4 A, 100 V, 0.164 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存