IRF6609TR1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
额定电压DC 20.0 V
额定电流 31.0 A
通道数 1
正向电压 800 mV
漏源极电阻 0.0016 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
产品系列 IRF6609
阈值电压 2.45 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 31.0 A
上升时间 95 ns
输入电容Ciss 6290pF @10VVds
下降时间 9.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 1.8W Ta, 89W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 DirectFET-MT
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.7 mm
封装 DirectFET-MT
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF6609TR1 | Infineon 英飞凌 | Direct-FET N-CH 20V 150A | 搜索库存 |