IRF7353D1PBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7353D1PBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 2 W
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-CH
耗散功率 20 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6.5A
上升时间 8.9 ns
输入电容Ciss 650pF @25VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IRF7353D1PBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IRF7353D1PBF | Infineon 英飞凌 | SOIC N-CH 30V 6.5A | 搜索库存 |