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IS42S83200D-75ETLI

IS42S83200D-75ETLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

Synchronous DRAM, 32MX8, 5.5ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

SDRAM 存储器 IC 256Mb(32M x 8) 并联 133 MHz 5.5 ns 54-TSOP II


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II


贸泽:
DRAM 256M 32Mx8 133MHz SDR SDRAM, 3.3V


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 32Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II


安富利:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 32Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II


IS42S83200D-75ETLI中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间 7.5 ns

存取时间Max 5.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42S83200D-75ETLI引脚图与封装图
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