IKD10N60RFAATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
耗散功率 150 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 72 ns
额定功率Max 150 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 150000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IKD10N60RFAATMA1 | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |