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IS42VM32400H-6BLI-TR

IS42VM32400H-6BLI-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

128m, 1.8V, Mobile Sdram, 4mx32, 166MHz, 90 Ball Bga 8mmx13mm Rohs, It, t&r

Memory IC 128Mb 4M x 32 Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA


立创商城:
IS42VM32400H 6BLI TR


艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 4Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 4Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA T/R


IS42VM32400H-6BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42VM32400H-6BLI-TR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS42VM32400H-6BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI 128m, 1.8V, Mobile Sdram, 4mx32, 166MHz, 90 Ball Bga 8mmx13mm Rohs, It, t&r 搜索库存
替代型号IS42VM32400H-6BLI-TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42VM32400H-6BLI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装:

当前型号

128m, 1.8V, Mobile Sdram, 4mx32, 166MHz, 90 Ball Bga 8mmx13mm Rohs, It, t&r

当前型号

型号: IS42VM32400G-6BLI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

完全替代

动态随机存取存储器 128M 4Mx32 166MHz Mobile S动态随机存取存储器 1.8v

IS42VM32400H-6BLI-TR和IS42VM32400G-6BLI-TR的区别

型号: IS42VM32400G-6BL-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装:

功能相似

Ic Sdram 128Mbit 166MHz 90bga

IS42VM32400H-6BLI-TR和IS42VM32400G-6BL-TR的区别