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IS43R86400E-5BL

IS43R86400E-5BL

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

512m, 2.5V, Ddr, 64mx8, 200MHz, 60 Ball Bga 8mmx13mm Rohs

SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb(64M x 8) 并联 60-TFBGA(8x13)


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IS43R86400E 5BL


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.5V/2.6V 60-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.5V/2.6V 60-Pin TFBGA


IS43R86400E-5BL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 260 mA

位数 8

存取时间Max 5 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

引脚数 60

封装 BGA

外形尺寸

封装 BGA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43R86400E-5BL引脚图与封装图
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IS43R86400E-5BL Integrated Silicon SolutionISSI 512m, 2.5V, Ddr, 64mx8, 200MHz, 60 Ball Bga 8mmx13mm Rohs 搜索库存