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IRLR120PBF

IRLR120PBF

数据手册.pdf

功率MOSFET Power MOSFET

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount IRLR120/SiHLR120

• Straight Lead IRLU120/SiHLU120

• Available in Tape and Reel

• Logic-Level Gate Drive

•RDSonSpecified at VGS= 4 V and 5 V

• Lead Pb-free Available


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin2+Tab DPAK


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin2+Tab DPAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin2+Tab DPAK


Newark:
# VISHAY  IRLR120PBF  MOSFET Transistor, N Channel, 7.7 A, 100 V, 100 mohm, 5 V, 2 V


IRLR120PBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 42 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 7.70 A

上升时间 64 ns

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DPAK-252

外形尺寸

封装 DPAK-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

IRLR120PBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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