IRLIZ14GPBF中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
输入电容Ciss 400pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 27 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRLIZ14GPBF引脚图与封装图
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| IRLIZ14GPBF | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |