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IDL10G65C5

IDL10G65C5

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 主动器件
IDL10G65C5中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7 V

耗散功率 113 W

正向电流 10000 mA

正向电流Max 10000 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 PG-VSON-4

外形尺寸

高度 1 mm

封装 PG-VSON-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IDL10G65C5引脚图与封装图
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IDL10G65C5 Infineon 英飞凌 650V的SiC的thinQ !一?? ¢ 5代二极管 650V SiC thinQ!™ Generation 5 diodes 搜索库存