IHW15N120R2
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IHW15N120R2中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 357 W
耗散功率Max 357 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IHW15N120R2引脚图与封装图
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在线购买IHW15N120R2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IHW15N120R2 | Infineon 英飞凌 | 逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode | 搜索库存 |
替代型号IHW15N120R2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IHW15N120R2 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-247-3 | 当前型号 | 逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode | 当前型号 |
| 型号： IHW15N120R3 品牌： 英飞凌 封装： TO-247-3 | 类似代替 | INFINEON IHW15N120R3 单晶体管, IGBT, 15 A, 1.7 V, 254 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚 | IHW15N120R2和IHW15N120R3的区别 |
| 型号： IHY15N120R3 品牌： 英飞凌 封装： TO-247HC | 类似代替 | 逆导IGBT与单片体二极管 Reverse conducting IGBT with monolithic body diode | IHW15N120R2和IHY15N120R3的区别 |