IPB123N10N3G
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPB123N10N3G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1880pF @50VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 94 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-2
外形尺寸
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IPB123N10N3G引脚图与封装图
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在线购买IPB123N10N3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB123N10N3G | Infineon 英飞凌 | Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 搜索库存 |
替代型号IPB123N10N3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB123N10N3G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： PG-TO263-2 N-Channel | 当前型号 | Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 当前型号 |
| 型号： IPB12CN10NG 品牌： 英飞凌 封装： D2PAK N-Channel | 完全替代 | 的OptiMOS ？ 2电源晶体管特点N沟道，正常水平极低的导通电阻R DS OptiMOS?2 Power-Transistor Features N-channel, normal level Very low on-resistance R DS | IPB123N10N3G和IPB12CN10NG的区别 |