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IPW60R199CPFKSA1

IPW60R199CPFKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R199CPFKSA1, 16 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

CoolMOS™CP 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3


欧时:
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R199CPFKSA1, 16 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-247, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


IPW60R199CPFKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 16.0 A

额定功率 139 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 139 W

阈值电压 3 V

输入电容 1.52 nF

栅电荷 43.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 1520pF @100VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 139 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.03 mm

宽度 5.16 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPW60R199CPFKSA1引脚图与封装图
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