锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPL60R210P6

IPL60R210P6

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

MOSFET N-CH 600V 4VSON

Summary of Features:

.
Reduced gate charge Q g
.
Higher V th
.
Good body diode ruggedness
.
Optimized integrated R g
.
Improved dv/dt from 50V/ns
.
CoolMOS™ quality with over 12 years manufacturing experience in superjunction technology

Benefits:

.
Improved effciency especially in light load condition
.
Better efficiency in soft switching applications due to earlier turn-off
.
Suitable for hard- & soft-switching topologies
.
Optimized balance of efficiency and ease of use and good controllability of switching behavior
.
High robustness and better efficiency
.
Outstanding quality & reliability
IPL60R210P6中文资料参数规格
技术参数

上升时间 8 ns

下降时间 7 ns

工作温度Min -40.0 ℃

封装参数

封装 ThinPAK-5

外形尺寸

长度 8 mm

高度 1 mm

封装 ThinPAK-5

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 PWM stages TTF, LLC for, PFC stages for, , telecom rectifier,

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPL60R210P6引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPL60R210P6
型号 制造商 描述 购买
IPL60R210P6 Infineon 英飞凌 MOSFET N-CH 600V 4VSON 搜索库存