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IPP530N15N3GXKSA1

IPP530N15N3GXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP530N15N3GXKSA1, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装

OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP530N15N3GXKSA1, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin3+Tab TO-220


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 150 V, 0.044 ohm, 10 V, 3 V


IPP530N15N3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 68 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.044 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 68 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 667pF @75VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

制造应用 Power Management, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频, 车用, C, 通信与网络, Power Management, Motor Drive & Control, , Isolated DC-DC converters telecom, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPP530N15N3GXKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPP530N15N3GXKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP530N15N3GXKSA1, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装 搜索库存
替代型号IPP530N15N3GXKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPP530N15N3GXKSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-220 N-Channel 150V 21A

当前型号

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP530N15N3GXKSA1, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装

当前型号

型号： FDP2572

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-220 N-Channel 150V 29A 54mohms 1.77nF

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IPP530N15N3GXKSA1和FDP2572的区别