IPB025N08N3G
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
IPB025N08N3G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
上升时间 73 ns
输入电容Ciss 10700pF @40VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-263-2
外形尺寸
封装 TO-263-2
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IPB025N08N3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPB025N08N3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB025N08N3G | Infineon 英飞凌 | OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-transistor | 搜索库存 |
替代型号IPB025N08N3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB025N08N3G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： PG-TO263-2 N-Channel | 当前型号 | OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-transistor | 当前型号 |
| 型号： IPB025N08N3GATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 80V 120A | 完全替代 | INFINEON IPB025N08N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 80 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.8 V | IPB025N08N3G和IPB025N08N3GATMA1的区别 |