锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPP060N06NAKSA1

IPP060N06NAKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP060N06NAKSA1, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

OptiMOS™5 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3


欧时:
Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP060N06NAKSA1, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装


立创商城:
N沟道 60V 17A 45A


贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 60 V, 0.0052 ohm, 10 V, 2.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
# INFINEON  IPP060N06NAKSA1  MOSFET Transistor, N Channel, 45 A, 60 V, 0.0052 ohm, 10 V, 2.8 V


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 17A TO220-3


IPP060N06NAKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 107 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0052 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 45A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 2000pF @30VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta, 83W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Portable Devices, Isolated DC-DC converters, Computers & Computer Peripherals, 电机驱动与控制, Synchronous rectification, Consumer Electronics, 消费电子产品, Motor Drive & Control, 便携式器材, Communications & Networking, 通信与网络, 电源管理, 工业, 计算机和计算机周边, Or-ing switches, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPP060N06NAKSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPP060N06NAKSA1
型号 制造商 描述 购买
IPP060N06NAKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP060N06NAKSA1, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装 搜索库存