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IPP60R190E6XKSA1

IPP60R190E6XKSA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPP60R190E6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V

通孔 N 通道 600 V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO220-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3


贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
# INFINEON  IPP60R190E6XKSA1  Power MOSFET, N Channel, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V


IPP60R190E6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 151 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.17 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 151 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20.2A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1400pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 151000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPP60R190E6XKSA1引脚图与封装图
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在线购买IPP60R190E6XKSA1
型号 制造商 描述 购买
IPP60R190E6XKSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPP60R190E6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号IPP60R190E6XKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPP60R190E6XKSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 650V 20.2A

当前型号

INFINEON  IPP60R190E6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: IPP60R190P6XKSA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 600V 20.2A

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