IPB080N03LG
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
IPB080N03LG中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 47.0 W
上升时间 3.6 ns
下降时间 2.8 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-2
外形尺寸
封装 TO-263-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IPB080N03LG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPB080N03LG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB080N03LG | Infineon 英飞凌 | 的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPB080N03LG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB080N03LG 品牌： Infineon 英飞凌 封装： PG-TO263-2 N-Channel | 当前型号 | 的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPB147N03LGATMA1 品牌： 英飞凌 封装： D2PAK N-CH 30V 20A | 类似代替 | D2PAK N-CH 30V 20A | IPB080N03LG和IPB147N03LGATMA1的区别 |
| 型号： IPD090N03LGATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252 N-Channel 30V 40A | 功能相似 | INFINEON IPD090N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V | IPB080N03LG和IPD090N03LGATMA1的区别 |
| 型号： IRLR8729PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 58A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IPB080N03LG和IRLR8729PBF的区别 |