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IPD60R380P6BTMA1

IPD60R380P6BTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPD60R380P6BTMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V

表面贴装型 N 通道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3


e络盟:
INFINEON  IPD60R380P6BTMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Infineons CoolMOS™ P6 product family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. CoolMOS™ P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease of use.


IPD60R380P6BTMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.342 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10.6A

输入电容Ciss 877pF @100VVds

额定功率Max 83 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 PFC stages for, , telecom rectifier,, PWM stages TTF, LLC for

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPD60R380P6BTMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPD60R380P6BTMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPD60R380P6BTMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号IPD60R380P6BTMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD60R380P6BTMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252 N-Channel 600V 10.6A

当前型号

INFINEON  IPD60R380P6BTMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: IPD60R380P6ATMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 600V 10.6A

类似代替

晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V

IPD60R380P6BTMA1和IPD60R380P6ATMA1的区别