IPD50R950CEBTMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 550V 4.3A

表面贴装型 N 通道 4.3A（Tc） 34W（Tc） PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3

贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 CoolMOS CE

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 4.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 4.3A 3-Pin TO-252 T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

IPD50R950CEBTMA1中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 860 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 53 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 4.3A

上升时间 4.9 ns

输入电容Ciss 231pF @100VVds

下降时间 19.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 34W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPD50R950CEBTMA1引脚图与封装图

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