IPB50CN10NGATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 100V 20A

N-Channel 100V 20A Tc 44W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3

IPB50CN10NGATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 44W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 20A

输入电容Ciss 1090pF @50VVds

耗散功率Max 44W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPB50CN10NGATMA1引脚图与封装图

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