锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPA075N15N3GXKSA1

IPA075N15N3GXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA075N15N3GXKSA1, 43 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上


得捷:
MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3


立创商城:
N沟道 150V 43A


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA075N15N3GXKSA1, 43 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 150V 43A TO220FP-3 OptiMOS 3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 43A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 39W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 43A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3 / N-Channel 150 V 43A Tc 39W Tc Through Hole PG-TO220-FP


IPA075N15N3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 39 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0059 Ω

极性 N-CH

耗散功率 39 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 43A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 5470pF @75VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 39 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPA075N15N3GXKSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPA075N15N3GXKSA1
型号 制造商 描述 购买
IPA075N15N3GXKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA075N15N3GXKSA1, 43 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装 搜索库存