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IPB80N06S3-05

IPB80N06S3-05

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

N-Channel 55V 80A Tc 165W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2


得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 55V 80A D2PAK-2


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK


Win Source:
OptiMOS-T2 Power-Transistor


IPB80N06S3-05中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5.1 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 165 W

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 10760pF @25VVds

额定功率Max 165 W

下降时间 47 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 165W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPB80N06S3-05引脚图与封装图
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