IPP100N06S3-03

Infineon(英飞凌) 分立器件

OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-Transistor

N-Channel 55V 100A Tc 300W Tc Through Hole PG-TO220-3-1

得捷:
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB

Win Source:
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220

IPP100N06S3-03中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 100 A

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

输入电容 21.6 nF

栅电荷 480 nC

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 100 A

上升时间 67 ns

输入电容Ciss 21620pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 60 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3-1

外形尺寸

封装 TO-220-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPP100N06S3-03引脚图与封装图

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