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IPD180N10N3GBTMA1

IPD180N10N3GBTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPD180N10N3GBTMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0147 ohm, 10 V, 2.7 V 新

IPD180N10N3 G, SP000482438


得捷:
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 43 A, 0.0147 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
IPD180N10N3 系列 100 V 18 mOhm N沟道 OptiMOSTM3 功率-晶体管 -PG-TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin2+Tab TO-252


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# INFINEON  IPD180N10N3GBTMA1  MOSFET, N-CH, 100V, 43A, TO-252-3 New


IPD180N10N3GBTMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 71 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0147 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 71 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 43A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1350pF @50VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 71000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Uninterruptable power supplies UPS, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPD180N10N3GBTMA1引脚图与封装图
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IPD180N10N3GBTMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPD180N10N3GBTMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0147 ohm, 10 V, 2.7 V 新 搜索库存