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IPT004N03L

IPT004N03L

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

30V,300A,0.4mOhm,N沟道功率MOSFET

Summary of Features:

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Industry‘s lowest R DSon
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Highest current capability up to 300A
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Very low package parasitics and inductances

Benefits:

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Less paralleling and cooling required
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Highest system reliability
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System cost reduction
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Enabling very compact design
IPT004N03L中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.4 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 300A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 18000pF @15VVds

下降时间 37 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3800 mW

封装参数

引脚数 9

封装 PG-HSOF-8

外形尺寸

长度 10.58 mm

宽度 10.1 mm

高度 2.4 mm

封装 PG-HSOF-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Telecom, Point-of-load POL

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPT004N03L引脚图与封装图
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