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IDH10G65C5XKSA1

IDH10G65C5XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IDH10G65C5XKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220

thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基,

Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。碳化硅设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势,如提高击穿电场强度和增强导热性,从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。

降低的 EMI

IDH10G65C5XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 89 W

负载电流 10 A

正向电压 1.7V @10A

耗散功率 89 W

反向恢复时间 0 ns

正向电流 10 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 82 A

正向电压Max 2.1 V

正向电流Max 10000 mA

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Each

制造应用 电机驱动与控制, Consumer Electronics, 消费电子产品, 计算机和计算机周边, 通信与网络, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, 照明, Lighting, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IDH10G65C5XKSA1引脚图与封装图
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