IXGR55N120A3H1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGR55N120A3H1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 200 ns
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGR55N120A3H1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXGR55N120A3H1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGR55N120A3H1 | IXYS Semiconductor | Igbt 1200V 70A 200W Isoplus247 | 搜索库存 |