IDB06S60C
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IDB06S60C中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.7V @6A
热阻 2.9℃/W RθJC
反向恢复时间 0 ns
正向电流Max 6 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IDB06S60C引脚图与封装图
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在线购买IDB06S60C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IDB06S60C | Infineon 英飞凌 | 第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode | 搜索库存 |
替代型号IDB06S60C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IDB06S60C 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263-3 | 当前型号 | 第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode | 当前型号 |
| 型号： SDB06S60 品牌： 英飞凌 封装： TO-263-3 600V 6A | 完全替代 | 碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode | IDB06S60C和SDB06S60的区别 |