IXXH30N60B3D1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXXH30N60B3D1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 270000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 25 ns
额定功率Max 270 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 270000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXXH30N60B3D1引脚图与封装图
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在线购买IXXH30N60B3D1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXXH30N60B3D1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW Automotive 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |
替代型号IXXH30N60B3D1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXXH30N60B3D1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 270000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW Automotive 3Pin3+Tab TO-247AD | 当前型号 |
| 型号： IXXH30N60B3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 270000mW | 完全替代 | IGBT 晶体管 DISC IGBT XPT-GENX3 | IXXH30N60B3D1和IXXH30N60B3的区别 |
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