IXGT40N120B2D1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGT40N120B2D1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 380000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 100 ns
额定功率Max 380 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 380000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGT40N120B2D1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGT40N120B2D1 | IXYS Semiconductor | IGBT 分立，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | 搜索库存 |