IXBL64N250
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
击穿电压集电极-发射极 2500 V
反向恢复时间 160 ns
额定功率Max 500 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ISOPLUSi5-Pak
封装 ISOPLUSi5-Pak
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXBL64N250 | IXYS Semiconductor | IGBT Transistors MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK | 搜索库存 |