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IXBL64N250

IXBL64N250

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

IGBT Transistors MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK

IGBT - 2500 V 116 A 500 W 通孔 ISOPLUSi5-Pak™


得捷:
IGBT 2500V 116A 500W ISOPLUSI5


贸泽:
IGBT Transistors MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 116A 500000mW 3-Pin3+Tab ISOPLUS I5-PAK


IXBL64N250中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 2500 V

反向恢复时间 160 ns

额定功率Max 500 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 ISOPLUSi5-Pak

外形尺寸

封装 ISOPLUSi5-Pak

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXBL64N250引脚图与封装图
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