IXGX82N120B3
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGX82N120B3中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 1250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGX82N120B3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGX82N120B3 | IXYS Semiconductor | Igbt 1200V 230A 1250W Plus247 | 搜索库存 |