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IXGH16N170A

IXGH16N170A

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

1700 V,32 A 甚高压 NPT IGBT, TO-247

IGBT NPT 1700 V 16 A 190 W 通孔 TO-247AD


得捷:
IGBT 1700V 16A 190W TO247


艾睿:
This powerful and secure IXGH16N170A IGBT transistor from Ixys Corporation will make sure your circuit works properly. It has a maximum collector emitter voltage of 1700 V. Its maximum power dissipation is 190000 mW. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.


IXGH16N170A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 190000 mW

击穿电压集电极-发射极 1700 V

额定功率Max 190 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXGH16N170A引脚图与封装图
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