IXBF10N300C

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 3000V 29A 240000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS I4-PAC

IGBT - 3000 V 29 A 240 W 通孔 ISOPLUS i4-PAC™

得捷:
IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4

IXBF10N300C中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 3000 V

反向恢复时间 700 ns

额定功率Max 240 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 i4-Pac

外形尺寸

封装 i4-Pac

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXBF10N300C引脚图与封装图

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